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第三代半导体概念集体大涨 哪些A股公司已有布局
来源:财界网 2020-09-16 15:07:50

9月初,第三代半导体概念被频频提起,并受到市场资金的追捧。近日,有媒体报道称,权威消息人士透露,我国计划把大力支持发展第三代半导体产业,写入正在制定中的“十四五”规划,计划在2021-2025年期间,在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面,大力支持发展第三代半导体产业,以期实现产业独立自主。据不完全统计,A股上市公司中,已有36家公司参与到第三代半导体领域。

9月15日,露笑科技发布公告称,公司与双凤经开区在合肥市政府签署了《长丰县招商引资项目投资合作协议》;将与合肥市长丰县人民政府在合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园,主要建设国际领先的第三代功率半导体(碳化硅)的设备制造、长晶生产、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地。该项目一期建成达产后,可形成年产24万片导电型碳化硅衬底片和5万片外延片的生产能力;项目总投资100亿元,其中一期投资21亿元,一期固定资产投资16亿元(一期首次投资3.6亿元,其中固定资产投资3亿元)。

同日,北方华创在互动平台表示,公司可以提供第三代半导体相关设备,其中碳化硅方面,可以提供长晶炉、外延炉、刻蚀、高温退火、氧化、PVD、清洗机等设备,氮化镓方面可以提供刻蚀、PECVD、清洗机等设备。目前公司生产经营保持正常。

据悉,第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表,是5G时代的主要材料。

根据Yole数据,2018年和2024年碳化硅功率器件市场规模分别约4亿和50亿美金,复合增速约51%;2018年和2024年氮化镓射频器件市场规模分别约为6亿美金和20亿美金,复合增速为20.76%;碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美金增长到2024年的11亿美金,复合增速达44%。

从二级市场表现来看,第三代半导体概念股中,长方集团、聚灿光电、豫金刚石、乾照光电、易事特等5股9月以来累计涨幅超过50%。涨幅最高的是长方集团,累计涨幅为162.66%,该股目前处于停牌状态。北上资金则在9月以来增持了易事特、兆驰股份、亚光科技、扬杰科技、闻泰科技等股,且增持股数量均在百万以上。增持数量最高的是易事特,为804.51万股,北上资金持仓市值已达到1.1亿元。

根据5家以上机构一致预测数据,今年有13只概念股净利润有望同比增长,分别包括闻泰科技、云南锗业、华润微、海特高新、江丰电子。机构一致预测闻泰科技净利润为34.59亿元,同比增长175.9%,预测净利润增幅最高。

国信证券研报中指出半导体第三代是指半导体材料的变化,从第一代、第二代过渡到第三代。

第一代半导体材料是以硅(Si)和锗(Ge)为代表,目前大部分半导体是基于硅基的。

第二代半导体材料是以砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)为代表,是4G时代的大部分通信设备的材料。

第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表,是5G时代的主要材料。第三代半导体的性能优势体现在:耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能强、工作速度快、工作损耗低。

根据Omdia的《2020年SiC和GaN功率半导体报告》,到2020年底,全球SiC和GaN功率半导体的销售收入预计8.54亿美元。未来十年的年均两位数增长率,到2029年将超过50亿美元。根据Yole数据,到2024年SiC功率半导体市场规模将增长至20亿美元,其中,汽车市场占SiC功率半导体市场比重到2024年预计将达50%。

金沙江资本创始人及董事局主席伍伸俊在日前举行的“中国第三代半导体发展机遇交流峰会”中表示,第三代不管是弯道超车还是直道超车还是加速超车,在新跑道里中国还是有优势的,有几方面,最重要的是人才优势,不管在美国、欧洲还是东南亚,中国从事半导体行业的华人优势、工程师优势、创新优势是很明显的。

国信证券研报中也表示第三代半导体是中国大陆半导体的希望,并解释了原因:

第一,第三代半导体相比较第一代第二代半导体处于发展初期,国内和国际巨头基本处于同一起跑线。

第二,中国有第三代半导体的应用市场,我们可以根据市场定义产品,而不是像以前跟着国际巨头做国产化替代。

第三,第三代半导体难点不在设备、不在逻辑电路设计,而在于工艺,工艺开发具有偶然性,相比较逻辑芯片难度降低。

第四,对设备要求相对较低,投资额小,国内可以有很多玩家。在资本的推动下,可以全国遍地开花,最终走出来几家第三代半导体公司的概率很大。

由于国内厂商对第三代半导体的研究起步时间并没有被国外厂商拉开差距,因此在这一材料技术领域中国半导体企业有“弯道超车”的可能。

以氮化镓为例,目前已逐步切入消费电子领域。自小米2月中旬发布氮化镓充电器以来,多个手机厂商持续跟进,相关概念股表现强劲。数据显示,今年以来氮化镓指数整体上涨40%以上。

作为第三代半导体材料之一的氮化镓,具有热导率高、耐高温、小体积等特性。此前多运用在光电、军工以及航空航天领域,但随着手机头部公司对充电技术的不断投入,氮化镓快速切入消费市场。

中泰证券表示,目前氮化镓产业仍以海外企业为主,国内企业在衬底外延和设计制造领域都逐渐开始涉足,如氮化镓衬底制造厂苏州纳维、东莞中镓;氮化镓外延制备商苏州晶湛;GaN-on-Si制造企业英诺赛科、赛微电子(300456.SZ);氮化镓晶圆代工企业海特高新(002023.SZ);GaNIDM(垂直整合制造工厂)三安光电(600703.SH)、闻泰科技(600745.SZ)等。据测算,仅考虑氮化镓在基站射频及快充头的应用,行业空间就在百亿美元以上,目前正处于渗透早期。

民品业务上,海特高新在5G宏基站射频氮化镓产品上取得重大技术突破,并通过可靠性测试,具备了为基站射频产品提供代工服务的能力;在电力电子方面,硅基氮化镓功率器件芯片已实现小批量量产,是国内率先进行硅基氮化镓量产的企业。根据投资者关系记录,公司2019年在光电领域实现国内第一条6英寸VCSEL产线。

三安光电是化合物半导体国产替代龙头标的,三安集成电路有限公司是三安光电下属子公司,基于氮化镓和砷化镓技术经营业务,是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂。

而在碳化硅领域,该市场依然以日、美、欧主导。不过方正证券指出,碳化硅的研究起步时间并不晚,国内主要集中于4英寸、6英寸碳化硅衬底生产,8英寸衬底已有样品出货,汽车电动化将形成碳化硅最大的下游市场。

目前,中国是全球最大的新能源汽车市场,电动汽车产业有国产替代的肥沃土壤。我国的新能源汽车市场占全球市场的一半以上,是全球最大的新能源汽车市场。根据evsales数据,2019年全球新能源汽车销量为215万辆,中国市场销量就达到了116万辆,中国市场占全球比重达54%。而车用半导体价值量增长,碳化硅应用是未来趋势。目前xEV车中的主驱逆变器仍以IGBT+SiFRD方案为主,考虑到未来电动车需要更长的行驶里程,更短的充电时间和更高的电池容量,SiCMOSFET元件将是大势所趋,时间节点在2021年左右。碳化硅有望提高3%~5%的逆变器效率,从而降低电池成本。

  • 标签:
  • 半导体
责任编辑: 安智慧 IF108

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